Effets de la concentration des défauts sur la surface d'énergie potentielle du silicium amorphe

Kallel_Houssem_2008_memoire.pdf (2.342Mb)

2008 (degree granted: 2008-08-07)

Author(s)

Kallel, Houssem

Advisor(s)

Mousseau, Normand

Level

Master's

Discipline

Physique

Keywords

• Silicium amorphe
• Relaxation
• Structure
• Défauts de liaison
• Surface d'énergie potentielle
• Nano-calorimétrie différentielle à balayage
• Amorphous silicon
• Relaxation
• Structure
• Radial distribution function
• Bond defects
• Potential energy surface
• Differential scanning nano-calorimetry

Note(s)

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal.

Collections

• Thèses et mémoires électroniques de l’Université de Montréal [13935]
• Thèses et mémoires - FAS - Département de physique [359]