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Synthèse de couches ultra-minces de siliciures sur silicium cristallin et endommagé étudiée par microscopie et profilométrie en profondeur
(2010-10-07)
Les siliciures métalliques constituent un élément crucial des contacts
électriques des transistors que l'on retrouve au coeur des circuits intégrés modernes.
À mesure qu'on réduit les dimensions de ces derniers apparaissent ...
Étude de la formation d'agrégats de défauts ponctuels et d'impuretés de lithium dans le silicium cristallin par méthodes Monte-Carlo cinétique
(2018-03-21)
Cette thèse est composée de trois articles scientifiques et est séparée en deux parties : «Théorie, Méthodologie et Algorithmie» et «Simulations, Analyses et Résultats». Elle présente nos travaux sur les méthodes numériques ...
Excitonic behaviour in polymeric semiconductors : the effect of morphology and composition in heterostructures
(2016-04-20)
La compréhension des interrelations entre la microstructure et les processus électroniques
dans les polymères semi-conducteurs est d’une importance primordiale pour
leur utilisation dans des hétérostructures volumiques. ...
Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb
(2016-09-28)
Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et ...
Fabrication et caractérisation de cellules solaires organiques nanostructurées par la méthode de nanoimpression thermique
(2016-04-20)
La morphologie des couches actives des cellules solaires organiques joue un rôle important
sur l’efficacité de conversion de l’énergie solaire en énergie électrique de ces dispositifs.
Les hétérojonctions planaires et ...
Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température
(2016-09-28)
Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but ...
Étude des propriétés magnétiques des aimants frustrés Ba(Dy,Ho)2O4 et SrHo2O4 par diffusion de neutrons
(2018-10-18)
Les aimants frustrés sont des systèmes dans lesquels des moments magnétiques localisés interagissent grâce à des interactions d’échange en compétition, créant une forte dégénérescence de l’état fondamental. ...
Calculs ab initio de la fonctionnalisation du graphène par l’azote
(2018-03-21)
Notre projet est conduit en collaboration avec une équipe de physique des plasmas. Nous avons pour but d'étudier et caractériser le dopage par l'azote du graphène par un traitement plasma dans la post-décharge lointaine, ...
Transport électrique dans les nanotubes de carbone et leurs dérivés fonctionnalisés
(2014-03-03)
Les nanotubes de carbone forment une structure quasi-unidimensionnelle de diamètre nanométrique, dont les propriétés mécaniques et électroniques, en particulier leur remarquable conductivité électrique, présentent un grand ...
Effet de la symétrie sur la supraconductivité de LaRhSi3 et la frustration magnétique du SrRE2O4 (RE = Dy ou Ho)
(2010-09-02)
Dans la première partie, nous présentons les résultats de l'étude du supraconducteur sans inversion de symétrie LaRhSi3 par spectroscopie muonique. En champ nul, nous n'avons pas détecté de champ interne. Ceci indique que ...