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Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température
(2016-09-28)
Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but ...
Effets des recuits ultra-rapides (10^5 K/s) sur la formation des siliciures métalliques en phase solide
(2016-03-23)
La synthèse de siliciures métalliques sous la forme de films ultra-minces demeure un enjeu majeur en technologie CMOS. Le contrôle du budget thermique, afin de limiter la diffusion des dopants, est essentiel. Des techniques ...