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Voici les éléments 1-10 de 14
Mécanismes de recuit dans le silicium implanté par faisceau d’ion caractérisés par nanocalorimétrie
(2011-01-06)
Nous présenterons le procédé de fabrication, la caractérisation, ainsi qu’un modèle numérique permettant l’optimisation d’un nouveau dispositif permettant d’effectuer des mesures de nanocalorimétrie sur un échantillon de ...
Structures photoniques à base de nanocristaux de silicium
(2011-02-03)
Il y a des indications que les nanocristaux de silicium (nc-Si) présentent un gain
optique qui est potentiellement assez grand pour permettre l'amplification optique dans la
gamme de longueurs d'ondes où une photoluminescence ...
Synthèse de couches optiques par co-dépôt pour les miroirs de LIGO
(2021-07-14)
En 2015, le Laser Interferometer Gravitational-Wave Observatory (LIGO) a observé pour la
première fois des ondes gravitationnelles générées par la fusion de deux trous noirs. Cette
observation résulte de 40 ans d’efforts ...
Évolution des défauts dans les fibres optiques irradiées
(2018-10-18)
L'utilisation de fibres optiques à réseaux de Bragg (FBG) comme thermomètres dans des véhicules spatiaux et autres environnements sous rayonnement requiert une caractérisation des défauts créés par les rayons cosmiques, ...
Synthèse de couches ultra-minces de siliciures sur silicium cristallin et endommagé étudiée par microscopie et profilométrie en profondeur
(2010-10-07)
Les siliciures métalliques constituent un élément crucial des contacts
électriques des transistors que l'on retrouve au coeur des circuits intégrés modernes.
À mesure qu'on réduit les dimensions de ces derniers apparaissent ...
Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température
(2016-09-28)
Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but ...
Effets des recuits ultra-rapides (10^5 K/s) sur la formation des siliciures métalliques en phase solide
(2016-03-23)
La synthèse de siliciures métalliques sous la forme de films ultra-minces demeure un enjeu majeur en technologie CMOS. Le contrôle du budget thermique, afin de limiter la diffusion des dopants, est essentiel. Des techniques ...