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Mécanismes de recuit dans le silicium implanté par faisceau d’ion caractérisés par nanocalorimétrie
(2011-01-06)
Nous présenterons le procédé de fabrication, la caractérisation, ainsi qu’un modèle numérique permettant l’optimisation d’un nouveau dispositif permettant d’effectuer des mesures de nanocalorimétrie sur un échantillon de ...
Effets des recuits ultra-rapides (10^5 K/s) sur la formation des siliciures métalliques en phase solide
(2016-03-23)
La synthèse de siliciures métalliques sous la forme de films ultra-minces demeure un enjeu majeur en technologie CMOS. Le contrôle du budget thermique, afin de limiter la diffusion des dopants, est essentiel. Des techniques ...