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L’étude de l’InP et du GaP suite à l’implantation ionique de Mn et à un recuit thermique
(2010-05-05)
Cette thèse est dédiée à l’étude des matériaux InMnP et GaMnP fabriqués par implantation ionique et recuit thermique. Plus précisément nous avons investigué la possibilité de former par implantation ionique des matériaux ...
Défauts et diffusion dans le silicium amorphe
(2013-01-04)
Nous avons observé une augmentation ‘’transient’’du taux de cristallisation interfacique de l’a-Si lorsqu’on réimplante du Si à proximité de l’interface amorphe/cristal. Après amorphisation et traitement thermique à 650°C ...
Réduction de la durée de vie des porteurs de charge dans le silicium noir par implantation ionique
(2013-09-03)
Le but de ce projet est d’étudier l’effet des défauts cristallins sur les propriétés optoélectroniques de photodétecteurs fabriqué à partir de « silicium noir », c’est-à-dire du silicium dopé et microstructuré par impulsions ...