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Dynamique de recombinaison dans les puits quantiques InGaN/GaN
(2010-05-05)
Nous étudions la recombinaison radiative des porteurs de charges photogénérés dans les puits quantiques InGaN/GaN étroits (2 nm). Nous caractérisons le comportement de la photoluminescence face aux différentes conditions ...
Anisotropie de la photoluminescence dans des nanostructures organiques chirales autoassemblées
(2010-01-07)
Nous investiguons dans ce travail la dynamique des excitons dans une couche mince
d’agrégats H autoassemblés hélicoïdaux de molécules de sexithiophène. Le couplage intermoléculaire
(J=100 meV) place ce matériau dans la ...
Étude de semi-conducteurs par spectroscopie d'excitation cohérente multidimensionnelle
(2018-03-21)
La spectroscopie multidimensionnelle est une technique d’optique ultrarapide qui permet de révéler divers mécanismes cohérents, tant électroniques que vibrationnels. Avec une séquence contrôlée d’impulsions laser, on peut ...
Études des fuites excitoniques dans des familles de boîtes quantiques d'InAs/InP par PLRT par addition de fréquences
(2012-09-04)
Ce mémoire porte sur les mécanismes de relaxation et de fuite des excitons dans des systèmes de boîtes quantiques(BQs) d’InAs/InP. Les systèmes sont composés d’un sub- strat volumique d’InP, appelé matrice (M), d’un puits ...
Étude de semiconducteurs par des techniques de spectroscopie quantique
(2018-10-18)
Ce mémoire de maîtrise est consacré à la mise en place d'une technique de spectroscopie quantique comme nouvel outil de caractérisation. La spectroscopie quantique, tout comme la spectroscopie classique, consiste en l'étude ...
Dynamique de recombinaison radiative dans les nanofils InGaN/GaN : étude détaillée de la photoluminescence
(2014-03-03)
L'étude de l'émission intégrée et résolue en temps de quatre configurations d'hétérostructures quantiques de type points-dans-un-fil d'InGaN/GaN nous a permis de déterminer la nature de la localisation et du mécanisme de ...
Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb
(2016-09-28)
Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et ...
Modification des propriétés optiques de nanofils à base de GaN par plasma N2/O2
(2014-09-29)
Une sonde électrostatique de Langmuir cylindrique a été utilisée pour caractériser une post-décharge d’un plasma d’ondes de surface de N2-O2 par la mesure de la densité des ions et électrons ainsi que la température des ...
Photo-oxydation et spectroscopie Raman de couches minces de phosphore noir
(2019-05-08)
Les couches minces (CMs) de phosphore noir sont reconnues comme matériaux lamellaires,
anisotropes dans le plan, prometteurs pour leurs propriétés optiques et électroniques.
D’un point de vue chimique, le phosphore noir ...