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Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb
(2016-09-28)
Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et ...
Étude de la cinétique de croissance du graphène en conditions purifiées
(2019-03-13)
La synthèse du graphène par CVD (Dépôt Chimique en phase Vapeur) est devenue la méthode la plus utilisée pour obtenir une monocouche de graphène de haute qualité. Néanmoins, de nombreuses inconnues persistent et le mécanisme ...