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Étude de la photosensibilité dans la silice implantée avec des ions de haute énergie
(2000-02-03)
La photosensibilité est la propriété par laquelle un matériau donné voit son indice de réfraction changer sous l'effet d'une exposition lumineuse. Malgré le nombre croissant de dispositif basé sur ce phénomène, les mécanismes ...
Étude de la réaction D(d, y)⁴ He entre 4 et 12.5 MeV.
(1972-07-01)
Ce mémoire présente l'étude expérimentale de la courbe d'excitation de la réaction d+d -> ^4He pour des énergies des deutérons incidents variant entre 4 et 12,5 MeV, ainsi que la détermination des distributions angulaires ...