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Réduction de la durée de vie des porteurs de charge dans le silicium noir par implantation ionique
(2013-09-03)Le but de ce projet est d’étudier l’effet des défauts cristallins sur les propriétés optoélectroniques de photodétecteurs fabriqué à partir de « silicium noir », c’est-à-dire du silicium dopé et microstructuré par impulsions laser femtoseconde, ce qui ...