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Mécanismes de recuit dans le silicium implanté par faisceau d’ion caractérisés par nanocalorimétrie
(2011-01-06)Nous présenterons le procédé de fabrication, la caractérisation, ainsi qu’un modèle numérique permettant l’optimisation d’un nouveau dispositif permettant d’effectuer des mesures de nanocalorimétrie sur un échantillon de silicium monocristallin. Ce ...