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Dynamique de recombinaison radiative dans les nanofils InGaN/GaN : étude détaillée de la photoluminescence
(2014-03-03)L'étude de l'émission intégrée et résolue en temps de quatre configurations d'hétérostructures quantiques de type points-dans-un-fil d'InGaN/GaN nous a permis de déterminer la nature de la localisation et du mécanisme de recombinaison des porteurs de ...