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Voici les éléments 1-1 de 1
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Défauts et diffusion dans le silicium amorphe
(2013-01-04)Nous avons observé une augmentation ‘’transient’’du taux de cristallisation interfacique de l’a-Si lorsqu’on réimplante du Si à proximité de l’interface amorphe/cristal. Après amorphisation et traitement thermique à 650°C pendant 5s de la couche a-Si ...