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Synthèse de couches ultra-minces de siliciures sur silicium cristallin et endommagé étudiée par microscopie et profilométrie en profondeur
(2010-10-07)
Les siliciures métalliques constituent un élément crucial des contacts
électriques des transistors que l'on retrouve au coeur des circuits intégrés modernes.
À mesure qu'on réduit les dimensions de ces derniers apparaissent ...
Défauts et diffusion dans le silicium amorphe
(2013-01-04)
Nous avons observé une augmentation ‘’transient’’du taux de cristallisation interfacique de l’a-Si lorsqu’on réimplante du Si à proximité de l’interface amorphe/cristal. Après amorphisation et traitement thermique à 650°C ...