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Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température
(2016-09-28)Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. ...