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  • Engineering visible light emitting point defects in Zr-implanted polycrystalline AlN films 

    Aghdaei, Azin; Pandiyan, R.; Bouraoui, Ilahi; Chicoine, Martin; El Gowini, M.; Schiettekatte, François; Frechette, Luc G.; Morris, Denis (American Institute of Physics, 2020-12-22)
    We have investigated the impact of thermal annealing gaseous atmosphere of argon, nitrogen, and forming gas on the structural and optical properties of thin polycrystalline AlN films subjected to high-energy zirconium ions implantation. X-ray diffraction, ...
  • Étude de la dynamique vibrationnelle de pérovskites 2D hybrides organiques-inorganiques par spectroscopie Raman 

    Dragomir, Vlad Alexandru (2019-03-13)
    Ce mémoire traite de l’étude de la dynamique vibrationnelle de deux pérovskites hybrides composés d’une couche inorganique séparée par des chaînes organiques (2D) en utilisant des mesures de spectroscopie Raman. Leur structure 2D étant composée de plans ...
  • Étude par imagerie Raman du dopage d’échantillons de graphène hydrogéné 

    Godbout, Émile (2024-01-31)
    Depuis une vingtaine d’années, le graphène est étudié à travers le monde pour ses propriétés opto-électroniques remarquables. Malgré tous ces efforts et la simplicité apparente de ce feuillet monoatomique de carbone, sa physique subtile continue de ...
  • In-plasma analysis of plasma–surface interactions 

    Vinchon, Pierre; Asadollahi, Siavash; Coté, Claude; Marcet, Stephane; Atallah, S.; Dessureault, Émile; Chicoine, Martin; Sarkissian, Andranik; Leonelli, Richard; Roorda, Sjoerd; Schiettekatte, François; Stafford, Luc (American Institute of Physics, 2023)
    During deposition, modification, and etching of thin films and nanomaterials in reactive plasmas, many active species can interact with the sample simultaneously. This includes reactive neutrals formed by fragmentation of the feed gas, positive ions, ...
  • Mise au point d'une méthode pour étudier les effets du dopage et des défauts sur le spectre Raman du graphène 

    Bourbonnais Sureault, David (2023-08-15)
    Depuis la première synthèse du graphène, la spectroscopie Raman s'est imposée comme un standard pour la caractérisation de celui-ci. Le dopage et les défauts du graphène ont tous deux été étudiés abondamment à l'aide de spectromètres Raman en configuration ...
  • Modulation du spectre infrarouge du graphène 

    Aymong, Vincent (2017-03-28)
    Le graphène est un nano-matériau très prometteur grâce à ses excellentes propriétés mécaniques, optiques et électriques. Toutefois, la plupart de ses applications les plus novatrices requièrent de l'altérer, mais la compréhension du graphène altéré est ...
  • Photo-oxydation et spectroscopie Raman de couches minces de phosphore noir 

    Favron, Alexandre (2019-05-08)
    Les couches minces (CMs) de phosphore noir sont reconnues comme matériaux lamellaires, anisotropes dans le plan, prometteurs pour leurs propriétés optiques et électroniques. D’un point de vue chimique, le phosphore noir mince représente un défi ...
  • Raman-based mapping and depth-profiling of the relaxation state in amorphous silicon 

    Lussier, Alexandre W.; Bourbonnais Sureault, David; Chicoine, Martin; Martel, Richard; Martinu, Ludvik; Roorda, Sjoerd; Schiettekatte, François (American Institute of Physics, 2024-02-09)
    We show that the micro-scale variations in the relaxation state of amorphous silicon (aSi) can be well-identified by Raman mapping over hundreds or thousands of µm2 in 1-2 hours. Pure and relaxed a-Si is obtained by self-implantation in crystalline ...