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Mise au point d'une méthode pour étudier les effets du dopage et des défauts sur le spectre Raman du graphène
Bourbonnais Sureault, David (2023-08-15)Depuis la première synthèse du graphène, la spectroscopie Raman s'est imposée comme un standard pour la caractérisation de celui-ci. Le dopage et les défauts du graphène ont tous deux été étudiés abondamment à l'aide de spectromètres Raman en configuration ... -
Raman-based mapping and depth-profiling of the relaxation state in amorphous silicon
Lussier, Alexandre W.; Bourbonnais Sureault, David; Chicoine, Martin; Martel, Richard; Martinu, Ludvik; Roorda, Sjoerd; Schiettekatte, François (American Institute of Physics, 2024-02-09)We show that the micro-scale variations in the relaxation state of amorphous silicon (aSi) can be well-identified by Raman mapping over hundreds or thousands of µm2 in 1-2 hours. Pure and relaxed a-Si is obtained by self-implantation in crystalline ...