Effets de la concentration des défauts sur la surface d'énergie potentielle du silicium amorphe

Kallel_Houssem_2008_memoire.pdf (2.342Mo)

2008 (octroi du grade: 2008-08-07)

Auteur(s)

Kallel, Houssem

Directeur(s) de recherche

Mousseau, Normand

Cycle d'études

Maîtrise

Programme

Physique

Mots-clés

• Silicium amorphe
• Relaxation
• Structure
• Défauts de liaison
• Surface d'énergie potentielle
• Nano-calorimétrie différentielle à balayage
• Amorphous silicon
• Relaxation
• Structure
• Radial distribution function
• Bond defects
• Potential energy surface
• Differential scanning nano-calorimetry

Note(s)

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal.

Collections

• Thèses et mémoires électroniques de l’Université de Montréal [16883]
• Faculté des arts et des sciences – Département de physique - Thèses et mémoires [462]