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Calculs numériques du spectre Raman double-résonant du phosphorène
(2019-03-13)
Ce mémoire présente une étude du spectre Raman de second-ordre du phosphorène. Quatre nouveaux modes Raman induits par des défauts ont étés identifiés dans les régions de A1g et A2g pour des couches minces de phosphore ...
Étude de la formation et de l'évolution de nanostructures par méthodes Monte Carlo
(2014-03-03)
Cette thèse, composée de quatre articles scientifiques, porte sur les méthodes numériques atomistiques et leur application à des systèmes semi-conducteurs nanostructurés.
Nous introduisons les méthodes accélérées conçues ...
Dynamique de recombinaison radiative dans les nanofils InGaN/GaN : étude détaillée de la photoluminescence
(2014-03-03)
L'étude de l'émission intégrée et résolue en temps de quatre configurations d'hétérostructures quantiques de type points-dans-un-fil d'InGaN/GaN nous a permis de déterminer la nature de la localisation et du mécanisme de ...
Méthode de calcul à N-corps basée sur la G0W0 : étude du couplage électron-phonon dans le C60 et développement d’une approche accélérée pour matériaux organiques
(2014-03-03)
La présente thèse porte sur les limites de la théorie de la fonctionnelle de la densité et les moyens de surmonter celles-ci.
Ces limites sont explorées dans le contexte d'une implémentation traditionnelle utilisant une ...
Excitonic behaviour in polymeric semiconductors : the effect of morphology and composition in heterostructures
(2016-04-20)
La compréhension des interrelations entre la microstructure et les processus électroniques
dans les polymères semi-conducteurs est d’une importance primordiale pour
leur utilisation dans des hétérostructures volumiques. ...
Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb
(2016-09-28)
Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et ...
Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température
(2016-09-28)
Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but ...
Fabrication et caractérisation de cellules solaires organiques nanostructurées par la méthode de nanoimpression thermique
(2016-04-20)
La morphologie des couches actives des cellules solaires organiques joue un rôle important
sur l’efficacité de conversion de l’énergie solaire en énergie électrique de ces dispositifs.
Les hétérojonctions planaires et ...
Étude des propriétés magnétiques des aimants frustrés Ba(Dy,Ho)2O4 et SrHo2O4 par diffusion de neutrons
(2018-10-18)
Les aimants frustrés sont des systèmes dans lesquels des moments magnétiques localisés interagissent grâce à des interactions d’échange en compétition, créant une forte dégénérescence de l’état fondamental. ...
Effet de la symétrie sur la supraconductivité de LaRhSi3 et la frustration magnétique du SrRE2O4 (RE = Dy ou Ho)
(2010-09-02)
Dans la première partie, nous présentons les résultats de l'étude du supraconducteur sans inversion de symétrie LaRhSi3 par spectroscopie muonique. En champ nul, nous n'avons pas détecté de champ interne. Ceci indique que ...