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dc.contributor.advisorBrebner, John Low
dc.contributor.advisorRoorda, Sjoerd
dc.contributor.authorHéliou, Régis
dc.date.accessioned2023-09-29T14:51:06Z
dc.date.available2023-09-29T14:51:06Z
dc.date.issued2001
dc.date.submitted2000
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/1866/29546
dc.subjectPhysiquefr
dc.titleRôle de la température d'implantation sur le dommage résiduel dans le SiC
dc.typeThèse ou mémoire / Thesis or Dissertation
etd.degree.disciplinePhysiquefr
etd.degree.grantorUniversité de Montréalfr
etd.degree.levelMaîtrise / Master's
etd.degree.nameM. Sc.
dcterms.descriptionMémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.fr
dcterms.languagefra


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