Afficher la notice

dc.contributor.advisorBrebner, John Low
dc.contributor.advisorYelon, Arthur
dc.contributor.authorBultena, Sandy
dc.date.accessioned2023-09-29T14:50:59Z
dc.date.available2023-09-29T14:50:59Z
dc.date.issued1998
dc.date.submitted1995
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/1866/29533
dc.subjectPhysiquefr
dc.titleAn in-depth study of high energy oxygen implantation into ion-damaged silicon
dc.typeThèse ou mémoire / Thesis or Dissertation
etd.degree.disciplinePhysiquefr
etd.degree.grantorUniversité de Montréalfr
etd.degree.levelDoctorat / Doctoral
etd.degree.namePh. D.
dcterms.descriptionThèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.fr
dcterms.languageeng


Fichier·s constituant ce document

Vignette

Ce document figure dans la ou les collections suivantes

Afficher la notice

Ce document diffusé sur Papyrus est la propriété exclusive des titulaires des droits d'auteur et est protégé par la Loi sur le droit d'auteur (L.R.C. (1985), ch. C-42). Il peut être utilisé dans le cadre d'une utilisation équitable et non commerciale, à des fins d'étude privée ou de recherche, de critique ou de compte-rendu comme le prévoit la Loi. Pour toute autre utilisation, une autorisation écrite des titulaires des droits d'auteur sera nécessaire.